Email: damiano.marian@unipi.it
Telefono: 050 2214851
Profilo
Didattica
Incarichi di co-docenza in moduli/insegnamenti
- Fisica 1 (Cod. 333BB) per Laurea in Scienze geologiche
- Laboratorio di Fisica (Modulo dell'insegnamento Laboratorio 1 con Elementi di Computazione Cod. 367BB) per Laurea in Fisica
Ricevimento
Modalità: E' possibile concordare con il docente un giorno/orario alternativo. Chiedere conferma in anticipo per posta elettronica (damiano.marian@unipi.it).
Luogo: Dip. di Fisica - Edificio C Ufficio C0-120 - Largo B. Pontecorvo, 3 56127 PISA. Oppure online: Teams
Orario: Lunedì 14:00 - 16:00
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Pubblicazioni
- Simulation of Vertically Stacked 2-D Nanosheet FETs (Dubey, Prabhat Kumar; Marian, Damiano; Toral-Lopez, Alejandro; Knobloch, Theresia; Grasser, Tibor; Fiori, Gianluca - 2025 - 1.1 Articolo in rivista)
- CVD graphene contacts for lateral heterostructure MoS2 field effect transistors (Schneider, Daniel S.; Lucchesi, Leonardo; Reato, Eros; Wang, Zhenyu; Piacentini, Agata; Bolten, Jens; Marian, Damiano; Marin, Enrique G.; Radenovic, Aleksandra; Wang, Zhenxing; Fiori, Gianluca; Kis, Andras; Iannaccone, Giuseppe; Neumaier, Daniel; Lemme, Max C. - 2024 - 1.1 Articolo in rivista)
- Strain-induced valley transport in a CrBr3/WSe2/CrBr3 van der Waals heterostructure (Soriano, D.; Marian, D.; Dubey, P.; Fiori, G. - 2024 - 1.1 Articolo in rivista)
- Simulations of 2-D Materials-Based Field Effect Transistors for Quantum Cascade Detectors (Cannavo', Emmanuele; Marian, Damiano; Marin, Enrique Gonzalez; Tredicucci, Alessandro; Fiori, Gianluca - 2024 - 1.1 Articolo in rivista)
- Multi-scale simulations of two dimensional material based devices: the NanoTCAD ViDES suite (Marian, D.; Marin, E. G.; Perucchini, M.; Iannaccone, G.; Fiori, G. - 2023 - 1.1 Articolo in rivista)
- Electrically tunable lateral spin-valve transistor based on bilayer CrI3 (Marian, D.; Soriano, D.; Cannavo, E.; Marin, E. G.; Fiori, G. - 2023 - 1.1 Articolo in rivista)
- Rhombohedral-stacked bilayer transition metal dichalcogenides for high-performance atomically thin CMOS devices (Li, Xuefei; Shi, Xinhang; Marian, Damiano; Soriano, David; Cusati, Teresa; Iannaccone, Giuseppe; Fiori, Gianluca; Guo, Qi; Zhao, Wenjie; Wu, Yanqing - 2023 - 1.1 Articolo in rivista)
- Multiscale Simulations of 2-D Material Ink-Based Printed Network Devices (Dubey, Prabhat Kumar; Marian, Damiano; Fiori, Gianluca - 2023 - 1.1 Articolo in rivista)
- Stable Al2O3 Encapsulation of MoS2-FETs Enabled by CVD Grown h-BN (Piacentini, Agata; Marian, D; Schneider, Ds; Marin, Eg; Wang, Zy; Otto, M; Canto, B; Radenovic, A; Kis, A; Fiori, Gianluca; Lemme, Mc; Neumaier, D - 2022 - 1.1 Articolo in rivista)
- Electronic Transport in 2D-Based Printed FETs from a Multiscale Perspective (Perucchini, M.; Marian, D.; Marin, E. G.; Cusati, T.; Iannaccone, G.; Fiori, G. - 2022 - 1.1 Articolo in rivista)